1. Козюхин С. А., Лазаренко П. И., Попов А. И., Еременко И. Л. Материалы фазовой памяти и их применение // Успехи химии. 2022. Т. 91. № 9. Ст. RCR5033. EDN: MPYYZG
Kozyukhin S. A., Lazarenko P. I., Popov A. I., Eremenko I. L. Phase change memory materials and their applications. Russ. Chem. Rev., 2022, vol. 91, iss. 9, art. ID: RCR5033.
https://doi.org/10.1070/RCR5033
2. Guo P., Sarangan A. M., Agha I. A review of germanium-antimony-telluride phase change materials for non-volatile memories and optical modulators // Appl. Sci. 2019. Vol. 9. Iss. 3. Art. No. 530. DOI: 10.3390/app9030530
3. Lotnyk A., Behrens M., Rauschenbach B. Phase change thin films for non-volatile memory applications // Nanoscale Adv. 2019. Vol. 1. Iss. 10. P. 3836-3857. DOI: 10.1039/C9NA00366E EDN: YIRTYO
4. 3D cross-point phase-change memory for storage-class memory / H.-Y. Cheng, F. Carta, W.-Ch. Chien et al. //j. Phys. D: Appl. Phys. 2019. Vol. 52. No. 47. Art. No. 473002. DOI: 10.1088/1361-6463/ab39a0
5. Size effect of the Ge2Sb2Te5 cell atop the silicon nitride O-ring resonator on the attenuation coefficient / P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An et al. // APL Mater. 2021. Vol. 9. Iss. 12. Art. No. 121104. DOI: 10.1063/5.0066387 EDN: ROLLZM
6. Low power reconfigurable multilevel nanophotonic devices based on Sn-doped Ge2Sb2Te5 thin films / P. Lazarenko, V. Kovalyuk, P. An et al. // Acta Materialia. 2022. Vol. 234. Art. ID: 117994. DOI: 10.1016/j.actamat.2022.117994 EDN: NYTCWW
7. Fabrication of Ge2Sb2Te5 metasurfaces by direct laser writing technique / D. V. Bochek, K. B. Samusev, D. A. Yavsin et al. // Opt. Laser Technol. 2021. Vol. 141. Art. ID: 107124. DOI: 10.1016/j.optlastec.2021.107124 EDN: WYZJGN
8. Rewritable full-color computer-generated holograms based on color-selective diffractive optical components including phase-change materials / C.-Y. Hwang, G. H. Kim, J.-H. Yang et al. // Nanoscale. 2018. Vol. 10. Iss. 46. P. 21648-21655. DOI: 10.1039/C8NR04471F EDN: DEZKKP
9. Zhou T., Gao D., Cao Sh., Cheng Zh. Electrically tunable non-volatile reflective display pixel structure based on phase change material // J. Phys.: Conf. Ser. 2020. Vol. 1544. Art. No. 012034. DOI: 10.1088/1742-6596/1544/1/012034 EDN: CRLZQW
10. Влияние степени кристалличности на дисперсию оптических параметров тонких пленок фазовой памяти Ge2Sb2Te5 / М. Е. Федянина, П. И. Лазаренко, Ю. В. Воробьев и др. // Изв. вузов. Электроника. 2020. Т. 25. № 3. C. 203-218. -. DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-3-203-218 EDN: SCYZWB
Fedyanina M. E., Lazarenko P. I., Vorobyev Yu. V., Kozyukhin S. A., Dedkova A. A., Yakubov A. O., Levitskii V. S., Sagunova I. V., Sherchenkov A. A. Influence of crystallization degree on the optical parameters dispersion of Ge2Sb2Te5 thin films for phase-change memory. Izv. vuzov. Elektronika = Proc. Univ. Electronics, 2020, vol. 25, no. 3, pp. 203–218. (In Russian).
https://doi.org/10.24151/1561-5405-2020-25-3-203-218
11. Activation energy of metastable amorphous Ge2Sb2Te5 from room temperature to melt / S. Muneer, J. Scoggin, F. Dirisaglik et al. // AIP Advances. 2018. Vol. 8. Iss. 6. Art. No. 065314. DOI: 10.1063/1.5035085 EDN: YHOABF
12. Регель А. Р., Глазов В. М. Физические свойства электронных расплавов. М.: Наука, 1980. 295 с.
Regel’ A. R., Glazov V. M. Physical properties of electron melts. Moscow, Nauka Publ., 1980. 295 p. (In Russian).
13. Казанджан Б. И. Методика исследования эффекта Холла в жидких полупроводниках // Заводская лаборатория. 1979. Т. 45. № 5. С. 433-435.
Kazandzhan B. I. Methodology of Hall effect studying in liquid semiconductors. Zavodskaya laboratoriya = Industrial Laboratory, 1979, vol. 45, no. 5, pp. 433–435. (In Russian).
14. ГОСТ Р 8.585-2001. Государственная система обеспечения единства измерений. Термопары. Номинальные статические характеристики преобразования. М.: Изд-во стандартов, 2002. III, 77 с.
GOST R 8.585–200. State system for ensuring the uniformity of measurements. Thermocouples. Nominal static characteristics of conversion. Moscow, Izd-vo standartov Publ., 2022. iii, 77 p. (In Russian).
15. Vezzoli G. C. Electrical resistance of liquid sulfur to 420 °C and of liquid selenium to 700 °C //j. Am. Ceram. Soc. 1972. Vol. 55. Iss. 2. P. 65-67. DOI: 10.1111/j.1151-2916.1972.tb11210.x
16. Su C.-H. Semiconductor to metal transition in the solids/melts of Te and pseudo-binary of Hg1-xCdxTe for x = 0, 0.1, and 0.2 // AIP Advances. 2021. Vol. 11. Iss. 4. Art. No. 045109. DOI: 10.1063/5.0043779 EDN: DJTDPX
17. CRC Handbook of Chemistry and Physics / ed. D. R. Lide. 88th ed. Boca Raton, FL: CRC Press, 2007. 2640 p.
18. The Merck index: An encyclopedia of chemicals, drugs, and biological / ed. M. J. O'Neil. 13th ed. Rahway, NJ: Merck and Co., 2001. 2564 p.
19. Регель А. Р., Глазов В. М., Крестовников А. Н. Жидкие полупроводники и перспективы их применения // Физ. и хим. обраб. матер. 1967. № 3. С. 118-131.
Regel’ A. R., Glazov V. M., Krestovnikov A. N. Liquid semiconductors and prospects for their application. Fiz. i khim. obrab. mater. = Physics and Chemistry of Materials Treatment, 1967, no. 3, pp. 118–131. (In Russian).
20. Регель А. Р., Глазов В. М., Крестовников А. Н. Особенности формирования электронных расплавов // Проблемы металлургии: сб. статей. М.: Металлургия, 1968. Вып. 52. С. 206.
Regel’ A. R., Glazov V. M., Krestovnikov A. N. Features of the formation of electronic melts.
Problemy metallurgii, collected papers. Moscow, Metallurgiya Publ., 1968, iss. 52, p. 206. (In Russian).
21. Abdullaev G. B., Mekhtieva S. I., Abdinov D. Sh., Aliev G. M. Effect of oxygen on some electrical properties of selenium // Phys. Status Solidi B. 1965. Vol. 11. Iss. 2. P. 891-898. DOI: 10.1002/pssb.19650110239
22. Глазов В. М., Чижевская С. Н., Глаголева Н. Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. 244 с.
Glazov V. M., Chizhevskaya S. N., Glagoleva N. N. Liquid semiconductors. Moscow, Nauka Publ.,
1967. 244 p. (In Russian).